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基于邊沿延時(shí)翻轉(zhuǎn)的綁定前硅通孔測試方法
關(guān)鍵詞：3d芯片 硅通孔測試 開路故障 短路故障
摘要：硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)在制造過程中發(fā)生開路和短路等故障會嚴(yán)重影響3D芯片的可靠性和良率,因此對綁定前的TSV進(jìn)行故障測試是十分必要的.現(xiàn)有的綁定前TSV測試方法仍存在故障覆蓋不完全、面積開銷大和測試時(shí)間大等問題.為解決這些問題,本文介紹一種基于邊沿延時(shí)翻轉(zhuǎn)的綁定前TSV測試技術(shù).該方法主要測量物理缺陷導(dǎo)致硅通孔延時(shí)的變化量,并將上升沿和下降沿的延時(shí)分開測量以便消除二者的相互影響.首先,將上升沿延時(shí)變化量轉(zhuǎn)化為對應(yīng)寬度的脈沖信號;然后,通過脈寬縮減技術(shù)測量出該脈沖的寬度;最后,通過觸發(fā)器的狀態(tài)提取出測量結(jié)果并和無故障TSV參考值進(jìn)行比較.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,本文脈寬縮減測試方法在故障測量范圍、面積開銷等方面均有明顯改善.
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