購物車(0)
隔離式柵極驅動器揭秘
Sanket; Sapre ADI公司
關鍵詞：柵極驅動器 功率mosfet 隔離式 電壓控制型 功率器件
摘要：IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于器件的源極/發(fā)射極而言[QC1])。使用專門驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流[QC2]。本文討論柵極驅動器是什么,為何需要柵極驅動器,以及如何定義其基本參數(shù),如時序、驅動強度和隔離度。
今日電子雜志要求:
{1}正文中層次標題應簡短明確，同一層次標題應盡可能排比。不同層次的標題，有上下關系者，在內(nèi)容上應相互聯(lián)系。題末不加標點符號，空1字書寫內(nèi)容。
{2}文稿要素包括：標題，作者，中文摘要，中文關鍵詞，正文，注釋，英文標題，英文摘要，英文關鍵詞。
{3}中英文摘要（300字左右）；中英文關鍵詞（3-5個）。
{4}所有來稿請注明作者簡介及單位、聯(lián)系方式等。
{5}基金項目：獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請在正文后注明基金項目名稱及編號，按項目證明文字材料標示清楚。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
