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      Ieee Transactions On Device And Materials Reliability
      • ISSN:1530-4388

      • E-ISSN:1558-2574

      • H-index指數(shù):63

      • 文章自引率:0.05

      • 影響因子:2.5

      • 年發(fā)文量:72

      • 研究類文章占比:97.22%

      • 開(kāi)源占比:0.05...

      • OA被引用占比:

      IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

      Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

      • 國(guó)際簡(jiǎn)稱:IEEE T DEVICE MAT RE

      • 出版周期:Quarterly

      • 研究方向:工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

      • 出版語(yǔ)言:English

      • 創(chuàng)刊時(shí)間:2001

      • 是否預(yù)警:

      • 出版地區(qū):UNITED STATES

      • 是否 OA:未開(kāi)放

      期刊介紹

      《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》(《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的工程技術(shù)-工程:電子與電氣學(xué)術(shù)刊物,主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實(shí)踐,旨在打造一種學(xué)術(shù)水平高、可讀性強(qiáng)、具有全球影響力的學(xué)術(shù)期刊。本刊已入選SCIE來(lái)源期刊。該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期Quarterly。2023年發(fā)布的影響因子為2.5。

      服務(wù)流程:

      期刊簡(jiǎn)介

      Magazine introduction

      IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)在中科院分區(qū)中位于3區(qū),JCR分區(qū)位于Q2。審稿速度一般為 較慢,6-12周 ,且近兩年沒(méi)有被列入國(guó)際預(yù)警名單,您可以放心投稿。如果您需要投稿指導(dǎo),可在線咨詢我們的客服老師,我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)。

      出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設(shè)備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應(yīng)用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個(gè)階段對(duì)這些實(shí)體的可靠性進(jìn)行測(cè)量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場(chǎng)提供了設(shè)備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫(kù)。這個(gè)可靠性數(shù)據(jù)庫(kù)是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎(chǔ)。這樣開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實(shí)現(xiàn),因?yàn)楫a(chǎn)品弱點(diǎn)將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設(shè)計(jì)出來(lái)。這個(gè)不斷提高可靠性和質(zhì)量的過(guò)程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說(shuō),我們可以做或必須做一切事情來(lái)保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場(chǎng)成功運(yùn)行。我們的目標(biāo)是抓住這些進(jìn)步。另一個(gè)目標(biāo)是關(guān)注電子材料和設(shè)備可靠性的最新進(jìn)展,并提供對(duì)影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學(xué)科研究的論壇??傮w目標(biāo)是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。

      中科院SCI分區(qū)

      Magazine introduction

      2023年12月升級(jí)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

      2022年12月升級(jí)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

      2021年12月舊的升級(jí)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

      2021年12月基礎(chǔ)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

      2021年12月升級(jí)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

      2020年12月舊的升級(jí)版

      大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
      工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)

      分區(qū)表升級(jí)版:旨在解決期刊學(xué)科體系劃分與學(xué)科發(fā)展以及融合趨勢(shì)的不相容問(wèn)題。升級(jí)版有如下優(yōu)勢(shì):一是論文層級(jí)的主題體系既能體現(xiàn)學(xué)科交叉特點(diǎn),又可以精準(zhǔn)揭示期刊載文的多學(xué)科性;二是采用“期刊超越指數(shù)”替代影響因子指標(biāo),解決了影響因子數(shù)學(xué)性質(zhì)缺陷對(duì)評(píng)價(jià)結(jié)果的干擾。整體而言,分區(qū)表升級(jí)版(試行)突破了期刊評(píng)價(jià)中學(xué)科體系構(gòu)建、評(píng)價(jià)指標(biāo)選擇等瓶頸問(wèn)題,能夠更為全面地揭示學(xué)術(shù)期刊的影響力,為科研評(píng)價(jià)“去四唯”提供解決思路。相關(guān)研究成果經(jīng)過(guò)國(guó)際同行的認(rèn)可,已經(jīng)發(fā)表在科學(xué)計(jì)量學(xué)領(lǐng)域國(guó)際重要期刊。

      JCR 分區(qū)

      Magazine introduction(2023-2024年最新版)

      按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

      53.3%

      學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

      51.7%

      按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
      學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

      47.6%

      學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

      44.97%

      JCR:JCR沒(méi)有設(shè)置大類,只分為176個(gè)具體學(xué)科,按當(dāng)期(1年)的影響因子進(jìn)行分區(qū);JCR是按照“平均主義”思想,根據(jù)刊物IF的高至低平均劃分4個(gè)區(qū),每個(gè)區(qū)含有該領(lǐng)域總量25%的期刊。中科院的分區(qū)如同社會(huì)階層的金字塔結(jié)構(gòu),1區(qū)只有5%的頂級(jí)期刊,2~4區(qū)期刊數(shù)量也逐層增加,所以中科院的1區(qū)和2區(qū)雜志很少,雜志質(zhì)量相對(duì)也高,基本都是本領(lǐng)域的頂級(jí)期刊。

      統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

      Magazine introduction

      影響因子歷年變化趨勢(shì)

      CiteScore歷年變化趨勢(shì)

      中科院JCR分區(qū)歷年變化趨勢(shì)

      引文指標(biāo)和發(fā)文量歷年變化趨勢(shì)

      自引數(shù)據(jù)歷年變化趨勢(shì)

      影響因子:表示一種雜志的被引用頻率,是國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),它不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

      CiteScore:是影響因子最強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)者,是衡量期刊影響力的一個(gè)指標(biāo),由愛(ài)思維爾于2020年發(fā)布,旨在讓人們更細(xì)致地了解影響力對(duì)研究和期刊的意義。

      CiteScore(2024年最新版)

      CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
      4.8 0.436 1.148
      學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
      大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

      68%

      大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

      65%

      大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

      63%

      TOP期刊

      常見(jiàn)問(wèn)題

      Magazine introduction

      Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

      IEEE Transactions on Device and Materials Reliability定制服務(wù)方案,SCI檢索

      免責(zé)聲明

      Magazine introduction

      若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商,地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。