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國(guó)際簡(jiǎn)稱：MET SCI HEAT TREAT+

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Springer US

JCR分區(qū)：Q4

創(chuàng)刊時(shí)間：1959

影響因子：0.6

是否預(yù)警：否

CiteScore：1.2

國(guó)際簡(jiǎn)稱：T INDIAN I METALS

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Springer India

JCR分區(qū)：Q3

創(chuàng)刊時(shí)間：2008

影響因子：1.5

是否預(yù)警：否

CiteScore：2.7

國(guó)際簡(jiǎn)稱：CRYST RES TECHNOL

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：John Wiley and Sons Inc.

JCR分區(qū)：Q3

創(chuàng)刊時(shí)間：1981

影響因子：1.5

是否預(yù)警：否

CiteScore：2.5

國(guó)際簡(jiǎn)稱：J MATER RES

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Springer International Publishing

JCR分區(qū)：Q3

創(chuàng)刊時(shí)間：1986

影響因子：2.7

是否預(yù)警：否

CiteScore：4.5

國(guó)際簡(jiǎn)稱：J APPL CRYSTALLOGR

中科院分區(qū)：3區(qū)

出版社：International Union of Crystallography

JCR分區(qū)：Q1

創(chuàng)刊時(shí)間：1968

影響因子：5.2

是否預(yù)警：否

CiteScore：10

國(guó)際簡(jiǎn)稱：MATER LETT

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Elsevier

JCR分區(qū)：Q2

創(chuàng)刊時(shí)間：1982

影響因子：2.7

是否預(yù)警：否

CiteScore：5.6

國(guó)際簡(jiǎn)稱：ELECTROCHEM ENERGY R

中科院分區(qū)：1區(qū)

出版社：SPRINGERNATURE

JCR分區(qū)：Q1

創(chuàng)刊時(shí)間：2018

影響因子：28.4

是否預(yù)警：否

CiteScore：41.9

國(guó)際簡(jiǎn)稱：OPTOELECTRON ADV MAT

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：National Institute of Optoelectronics

JCR分區(qū)：Q4

創(chuàng)刊時(shí)間：2007

影響因子：0.5

是否預(yù)警：否

CiteScore：0.9

國(guó)際簡(jiǎn)稱：NANO-MICRO LETT

中科院分區(qū)：1區(qū)

出版社：Springer Singapore

JCR分區(qū)：Q1

創(chuàng)刊時(shí)間：2009

影響因子：31.6

是否預(yù)警：否

CiteScore：42.4

國(guó)際簡(jiǎn)稱：CHINA FOUNDRY

中科院分區(qū)：3區(qū)

出版社：Springer Singapore

JCR分區(qū)：Q2

創(chuàng)刊時(shí)間：2016

影響因子：1.7

是否預(yù)警：否

CiteScore：2.6

國(guó)際簡(jiǎn)稱：J JPN I MET

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Nippon Kinzoku Gakkai

JCR分區(qū)：Q4

創(chuàng)刊時(shí)間：2013

影響因子：0.5

是否預(yù)警：否

CiteScore：0.7

國(guó)際簡(jiǎn)稱：INT J MATER PROD TEC

中科院分區(qū)：4區(qū)

出版社：Inderscience Enterprises Ltd.

JCR分區(qū)：Q4

創(chuàng)刊時(shí)間：1986

影響因子：0.5

是否預(yù)警：否

CiteScore：0.8