HSQ用于電子束曝光的性能分析
關(guān)鍵詞：電子束曝光技術(shù) 抗蝕劑工藝 鄰近效應(yīng)
摘要：作為一種非化學(xué)放大的無機(jī)負(fù)性電子束光刻抗蝕劑，HSQ（hydrogen silsesquioxane）具有極高的分辨率（約5nm），由于靈敏度較低，限制了其在微納米加工方面的應(yīng)用。從化學(xué)結(jié)構(gòu)變化的角度分析了HSQ在電子束曝光中的性能，通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其靈敏度及對比度受前烘溫度及顯影液濃度的影響較大，并且其在電子柬曝光中的鄰近效應(yīng)也可以通過改變這兩個(gè)條件而得到一定的抑制。根據(jù)所得優(yōu)化工藝條件，在450nm膠層上，制作出100nm等間距光柵結(jié)構(gòu)膠層圖形，且其側(cè)壁陡直性良好。
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