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利用非晶SiC在硬質(zhì)合金上原位生長(zhǎng)石墨烯
關(guān)鍵詞：石墨烯 退火溫度 退火時(shí)間
摘要：針對(duì)空間鉆探中硬質(zhì)合金鉆具部件的減摩潤(rùn)滑問(wèn)題,提出一種在硬質(zhì)合金基底上原位生長(zhǎng)石墨烯的方法。在硬質(zhì)合金基底上磁控濺射沉積非晶碳化硅(SiC)薄膜,利用合金中的粘結(jié)相Co在真空退火條件下催化非晶SiC,實(shí)現(xiàn)原位生長(zhǎng)石墨烯。研究了在硬質(zhì)合金基底表面磁控濺射沉積非晶SiC薄膜,在真空退火條件下,退火溫度、退火時(shí)間和C/Si原子比對(duì)金屬Co催化非晶SiC在硬質(zhì)合金上原位生長(zhǎng)石墨烯的影響,分析了金屬Co在催化非晶SiC制備石墨烯過(guò)程中的反應(yīng)機(jī)理,為石墨烯在真空鉆探刀具潤(rùn)滑材料的應(yīng)用提供了一定的理論基礎(chǔ)。
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